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NDF02N60Z, NDD02N60Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
600
550
500
450
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
T J = 150 ° C
400
350
1.0
300
250
200
150
C iss
0.10
0
T J = 125 ° C
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
100
50
0
0
C rss
5
C oss
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
0
Q GS
1
2
V DS
3
4
Q T
Q GD
5
6
7
V GS
V DS = 300 V
I D = 2.4 A
T J = 25 ° C
8 9 10
350
300
250
200
150
100
50
0
11
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 300 V
I D = 2.4 A
V GS = 10 V
10.0
10
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
? 55 ° C
1.0
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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